Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SARA41CT116R
TRANS PNP 120V 50MA SST3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SARA41CT
2SARA41CT116R Hakkında
2SARA41CT116R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistor (BJT) ürünüdür. Maksimum collector akımı 50 mA, maksimum collector-emitter voltajı 120 V ve maksimum power dissipation 200 mW olan bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 140 MHz transition frequency ile hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygun olan bu transistör, küçük boyutlu SO-23 (SST3) yüzey montajlı paketinde sunulur. DC current gain minimum 180 (2 mA, 6V'da) ve saturation voltajı 500 mV (1 mA base, 10 mA collector akımında) özelliğine sahiptir. Endüstriyel, tüketici elektroniği ve bilişim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok