Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SARA41CHZGT116R

TRANS PNP 120V 50MA SST3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SARA41CHZGT116R

2SARA41CHZGT116R Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen 2SARA41CHZGT116R, SST3 (SOT-23-3) paketinde sunulan yüksek güvenilirlikli PNP bipolar junction transistördür. 50mA maksimum kolektör akımı ve 120V maksimum kolektor-emiter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 140MHz transition frequency ve 180 minimum DC current gain (hFE) özelliğine sahip bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve düşük-orta frekans uygulamalarında tercih edilir. 200mW maksimum güç rating'i ile endüstriyel kontrol, tüketici elektroniği ve ses amplifikasyonu devrelerinde yer alır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Surface mount teknolojisi ile üretildiği için modern PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 140MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package SST3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok