Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SAR586JGTLL
PNP, TO-263AB, -80V -5A, POWER T
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SAR586
2SAR586JGTLL Hakkında
2SAR586JGTLL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 5A kolektör akımı ve 80V gerilim dayanımı ile çalışır. 40W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 200MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 120 değerindedir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, amplifikatörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 40 W |
| Supplier Device Package | LPTL |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok