Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SAR582D3TL1
PNP, TO-252 (DPAK), -30V -10A, P
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SAR582D3
2SAR582D3TL1 Hakkında
2SAR582D3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252 (DPak) yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 10A maksimum kolektör akımı ve 30V maksimum Vce kırılma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. 230MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 200 minimum DC akım kazancı (1A, 3V koşullarında) ve 400mV saturasyon voltajı (200mA base, 4A collector akımında) ile verimli çalışma sağlar. 10W maksimum güç disipasyonu, 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniğinde motor kontrolü, güç anahtarlaması ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 3V |
| Frequency - Transition | 230MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 10 W |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 200mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok