Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SAR562F3TR

PNP DRIVER TRANSISTOR

Paket/Kılıf
3-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
2SAR562F3

2SAR562F3TR Hakkında

2SAR562F3TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistöre (BJT) dir. 3-UDFN Exposed Pad kasa türünde sunulan bu bileşen, sürücü uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6A maksimum kolektör akımı, 180MHz transition frequency ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleri ile hızlı komütasyon gerektiren devrelerde etkin bir şekilde çalışır. 30V maksimum BVCEO (kolektör-emitör bozulma gerilimi) ve 1W maksimum güç sınırlaması ile düşük-orta güç uygulamalarına uygundur. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar. LED sürücüleri, kontrol devreleri ve ses amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package HUML2020L3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok