Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SAR512PHZGT100

PNP, SOT-89, -30V -2A, MEDIUM PO

Paket/Kılıf
TO-243AA
Seri / Aile Numarası
2SAR512

2SAR512PHZGT100 Hakkında

2SAR512PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 30V reverse breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 430MHz transition frequency ve 500mW maksimum güç yeteneği sayesinde orta frekanslı devrelerde çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 değeri ile, 100mA'de 2V koşullarında ölçülmüştür. 400mV saturation voltajı düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 430MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-243AA
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package SOT-89
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 35mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok