Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA965-Y,T6F(J
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA965
2SA965-Y,T6F(J Hakkında
2SA965-Y,T6F(J), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup 800mA maksimum kollektör akımı ve 120V maksimum Vce(Breakdown) ile çalışır. TO-226-3 (TO-92 Long Body) paketinde sunulan bu komponent, 900mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 120MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 80 minimum DC current gain (hFE @ 100mA, 5V) ve 1V maksimum Vce saturation değerleri ile ses amplifikasyon, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı PNP transistör uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj özelliği ile geleneksel PCB tasarımlarına uygundur. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir. Ürün kullanım dışı (obsolete) status'undadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok