Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA965-Y,SWFF(M

TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SA965

2SA965-Y,SWFF(M Hakkında

2SA965-Y,SWFF(M), Toshiba tarafından üretilen PNP tipinde bipolar junction transistördür. 800mA maksimum kolektör akımı ve 120V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW güç disipasyonuna sahip bu bileşen, 120MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-92-3 long body paketindeki transistör, ses amplifikatörleri, güç anahtarlaması, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 80 minimum hFE değeri ile güvenilir akım kazancı sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında darbeye dayanıklı bir tasarıma sahiptir. Artık üretilmeyen (obsolete) bu bileşen, legacy sistem tasarımlarında ve onarım uygulamalarında karşılaşılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 900 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok