Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA965-Y(F,M)
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA965
2SA965-Y(F,M) Hakkında
2SA965-Y(F,M), Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 800mA collector akımı ve 120V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç tüketimine ve 120MHz transition frekansına sahiptir. 80 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 100mA collector akımında ve 5V Vce'de çalışır. Genel sinyal işleme, anahtar uygulamaları ve düşük frekanslı amplifikasyon devrelerinde yer alır. Through hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uygundur. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok