Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA965-Y,F(J
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA965
2SA965-Y,F(J Hakkında
2SA965-Y,F(J), Toshiba tarafından üretilen silikon PNP bipolar junction transistörüdür. TO-226-3 (TO-92 uzun gövde) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 800mA kolektör akımı ve 120V kesme voltajı ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 100mA, 5V koşullarında minimum 80 değerine sahiptir. 120MHz geçiş frekansı ve 900mW maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Anahtarlama devreleri, darbe amplifikatörleri, ses frekansı uygulamaları ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarında tercih edilebilir. Komponent obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok