Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA965-O(TE6,F,M)
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA965
2SA965-O(TE6,F,M) Hakkında
2SA965-O(TE6,F,M), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-226-3 (TO-92-3 Long Body) paketinde sunulmaktadır. 800 mA collector akımı, 120 V collector-emitter breakdown voltajı ve 900 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 120 MHz transition frekansı sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 80 minimum hFE (100 mA, 5V koşullarında) ile güvenilir akım kazancı sağlar. Ses amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri, düşük frekanslı sinyal işleme ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok