Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA965-O,F(J
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA965
2SA965-O,F(J Hakkında
2SA965-O,F(J), Toshiba tarafından üretilen TO-92-3 paketinde PNP bipolar junction transistördür. Maksimum 800mA kolektör akımı ve 120V breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80 minimum DC current gain (hFE @ 100mA, 5V), 120MHz transition frequency ve 900mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta seviye sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, ses amplifikasyon ve düşük frekanslı RF uygulamalarında yer bulmuştur. Artık üretilmeyen (obsolete) bir bileşen olup, yüksek sayılı stok ya da muadil bileşenler aranması tavsiye edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok