Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA949-Y(TE6,F,M)
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA949
2SA949-Y(TE6,F,M) Hakkında
2SA949-Y(TE6,F,M) Toshiba tarafından üretilen silikon PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50mA kolektör akımı ve 150V kesme voltajı ile çalışabilir. 120MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mW güç tüketimine sahip olup, hFE değeri 70'dir (10mA, 5V'ta). Düşük sinyal amplifikasyonu, ses frekansı kuvvetlendirme, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı desteği sunar. Ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 1mA, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok