Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA949-Y(T6SHRP,FM

TRANS PNP 50MA 150V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SA949

2SA949-Y(T6SHRP,FM Hakkında

2SA949-Y(T6SHRP,FM, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92-3 Long Body paketinde sunulmaktadır. Maximum 50mA kolektör akımı, 150V kolektör-emiter bozulma gerilimi ve 800mW güç kapasitesi ile karakterize edilmiştir. 120MHz transition frequency'ye sahip bu bileşen, 70 minimum DC akım kazancı (hFE) sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Satürasyonda 800mV Vce düşüşü ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Eski ürün serisinde yer almakla birlikte, retro-fit ve legacy sistem tasarımlarında kullanım bulabilir. Audio amplifikatörleri, küçük sinyal anahtarları ve genel amaçlı DC anahtarlama devrelerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 1mA, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok