Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA949-Y,ONK-1F(M

TRANS PNP 50MA 150V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SA949

2SA949-Y,ONK-1F(M Hakkında

2SA949-Y, Toshiba tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 (TO-226-3) paketine sahip olan bu transistör, maksimum 50mA kollektör akımı ve 150V kollektör-emiter kırılma gerilimi ile çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında minimum 70'dir. 120MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Maksimum 800mW güç dağıtabilir ve çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Ses amplifikatörleri, düşük güçlü anahtarlama devreleri, darbe üreteci devreleri ve genel amaçlı PNP transistör uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün üretimi sona ermiş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 1mA, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok