Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA949-Y,ONK-1F(J

TRANS PNP 50MA 150V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SA949

2SA949-Y,ONK-1F(J Hakkında

2SA949-Y,ONK-1F(J), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, maksimum 50mA kolektör akımı ve 150V kolektor-emitter gerilimi ile çalışır. TO-226-3 (TO-92) standart paketinde sunulan bu bileşen, 120MHz transition frequency ve 800mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 10mA ve 5V'de minimum 70 değerindedir. Through-hole montaj türü ile PCB'ye monte edilir. Temel uygulamaları arasında düşük seviyeli anahtarlama devreleri, amplifikasyon, ses işleme ve genel amaçlı sinyal kontrol yer alır. İşletme sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Lütfen dikkat: Bu bileşen piyasada eski (obsolete) statüsündedir ve yerini daha yeni modellerimiz almıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 1mA, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok