Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA949-O(TE6,F,M)
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA949
2SA949-O(TE6,F,M) Hakkında
2SA949-O(TE6,F,M), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92-3 Long Body) paketinde sunulan bu transistör, 50 mA maksimum collector akımı ve 150 V breakdown voltajı ile çalışır. 800 mW güç tüketimi ve 120 MHz transition frequency özelliğine sahiptir. DC gain değeri 10 mA, 5V koşullarında minimum 70 hFE'dir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, ses amplifikasyonu, sinyal anahtarlaması ve düşük güçlü RF uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimleme yapılır. Ürün şu anda üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 1mA, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok