Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA2215,LF
PNP TRANSISTOR VCEO-20V IC-2.5A
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2SA2215
2SA2215,LF Hakkında
2SA2215,LF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SMD paketlemesi ile sunulmaktadır. Maximum 2.5A collector akımına ve 20V VCEO breakdown voltajına sahip bu transistör, 500mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) 200 (min) değerinde, VCE saturation voltajı 190mV'dir. Surface mount uygulamalarında sürücü devreler, anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için kullanılan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygundur. 3-SMD Flat Leads paketlemesi ile elektronik cihazlarda kompakt tasarımlar sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UFM |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 190mV @ 53mA, 1.6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok