Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA2195,LF

PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-1.7A

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
2SA2195

2SA2195,LF Hakkında

2SA2195,LF, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. VCEO 50V ve maksimum collector akımı 1.7A ile orta güç seviyesi elektronik devrelerinde kullanılır. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 200mV doyum voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 değeri ile stabil transistor operasyonu sağlar. Surface Mount UFM paketinde sunulan bu bileşen, -150°C'ye kadar çalışabilen güvenilir performansı ile tüketici elektronikleri, güç yönetimi ve oto kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1.7 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 300mA, 2V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package UFM
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 33mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok