Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA2039-E

TRANS PNP 50V 5A TP

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SA2039

2SA2039-E Hakkında

2SA2039-E, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 5A maksimum collector akımı ile çalışabilir. 800mW güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) 200 minimum değeriyle (500mA, 2V koşullarında) ve 360MHz transition frequency ile orta hızlı switching uygulamaları destekler. VCE saturation voltajı 430mV (@100mA, 2A), collector cutoff akımı 1µA maksimum olarak belirtilmiştir. -150°C junction sıcaklık sınırı ile çalışan bu bileşen, güç amplifikasyonu, switching ve anahtar uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipiyle breadboard ve PCB uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 360MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TP
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 430mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok