Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA2013-TD-E
TRANS PNP 50V 4A PCP
2SA2013-TD-E Hakkında
2SA2013-TD-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 4A collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 3.5W güç yönetimi, 400MHz transition frequency ve 200 minimum DC current gain özellikleriyle sağlanır. TO-243AA paket tipi ile yüzey montajı için tasarlanmıştır. Audio amplifikatörleri, switching devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C (junction) arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.5 W |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok