Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1955FVBTPL3Z
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1955
2SA1955FVBTPL3Z Hakkında
2SA1955FVBTPL3Z, Toshiba tarafından üretilen yüksek frekans PNP bipolar junction transistördür. 12V kollektör-emiter kırılma gerilimi ve 400mA maksimum kollektör akımı ile düşük güçlü anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, taşınabilir cihazlar, ses amplifikatörleri, RF ön uçları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 100mW maksimum güç derecelendirmesi ile enerji açısından verimli tasarımlar için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 mW |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok