Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1955FVATPL3Z
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1955
2SA1955FVATPL3Z Hakkında
2SA1955FVATPL3Z, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 12V maksimum collector-emitter gerilimi ve 400mA maksimum collector akımı ile çalışan bu bileşen, 100mW güç tüketimi sınırlaması altında çalışır. 130MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface mount SC-101 (SOT-883) paketinde sunulan 2SA1955, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 300'lü minimum DC current gain değeri ile stabil performans sağlar. Cihazın 250mV saturasyon gerilimi, düşük güçlü sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 mW |
| Supplier Device Package | CST3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok