Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA1930(Q,M)

TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
2SA1930

2SA1930(Q,M) Hakkında

2SA1930(Q,M), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 2A kolektör akımı ve 180V kolektör-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 200MHz transition frequency ve 100@100mA, 5V de minimum 100 DC akım kazancı özellikleriyle, ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı kuvvetlendirme uygulamalarında tercih edilir. 2W maksimum güç dağıtımı ile 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 1V maksimum Vce saturation voltajı ile düşük kayıp kuvvetlendirme ve anahtarlama devreleri tasarımına olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power - Max 2 W
Supplier Device Package TO-220NIS
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 180 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok