Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
2SA1778-3-TB-E
PNP TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1778
2SA1778-3-TB-E Hakkında
2SA1778-3-TB-E, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörtür (BJT). RF uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 1.2GHz transition frequency ve 13dB kazanç karakteristiğine sahiptir. Maksimum 50mA kolektör akımı ve 250mW güç tüketimiyle çalışan transistör, 2.5dB noise figure değerine sahiptir. 15V kolektör-emitter breakdown voltajı ile RF amplifikasyon, sinyal işleme ve gürültü düşük ön yükselteç (low noise amplifier) devrelerde kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulan bu bileşen mobil iletişim, radar ve harita oluşturma uygulamalarında yer bulur. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 1.2GHz |
| Gain | 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.5dB @ 400MHz |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok