Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1761,T6F(M
TRANS PNP 3A 50V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1761
2SA1761,T6F(M Hakkında
2SA1761 Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 3A kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW güç dissipasyonuna sahip olan bu transistör, 100MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama devrelerinde yer alabilir. TO-92 paket türüyle yerleştirme deliği (through hole) lehimlemeye uygun olup, analog ses amplifikatörleri, düşük frekans sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA'de 2V'te minimum 120'dir. Kolektör-emitter doyma gerilimi (VCE sat) 500mV'tur. İşletme sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Lojik devreler, opto-elektronik uygulamalar ve ses devreleri gibi geniş bir uygulama yelpazesinde kullanım bulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 75mA, 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok