Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1721RTE85LF
TRANS PNP 300V 100MA TO236-3
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1721
2SA1721RTE85LF Hakkında
2SA1721RTE85LF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörtür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 300V collector-emitter breakdown voltajına ve 100mA maksimum collector akımına sahiptir. 150mW güç tüketim kapasitesi ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Düşük güçlü kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok