Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA1680,T6SCMDF(J

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SA1680

2SA1680,T6SCMDF(J Hakkında

2SA1680, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 2A kolektör akımı ve 50V breakdown voltajı ile düşük-orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz transition frequency sayesinde ses frekansı ve düşük frekans RF devrelerinde çalışabilir. 900mW maksimum güç dissipasyonu ile genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilebilir. Minimum 120 hFE (100mA, 2V) DC akım kazancı sağlar. Through-hole montajı ile PCB'lere kolayca monte edilir. İleri sürülmüş teknoloji nedeniyle yeni tasarımlarda yerini modern alternatiflere bırakmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 900 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok