Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
2SA1669-TB-E
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1669
2SA1669-TB-E Hakkında
2SA1669-TB-E, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP epitaxial planar silicon transistördür. RF uygulamalarına yönelik tasarlanan bu bileşen, maksimum 50mA kollektör akımı ve 250mW güç kapasitesine sahiptir. 3GHz transition frekansı ile yüksek frekanslı haberleşme sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 2dB gürültü figürü (900MHz'de) ve 5dB kazanç değerleri, düşük gürültülü RF ön kademelerinde tercih edilmesini sağlar. Surface mount TO-236-3/SOT-23-3 paketinde sunulan bileşen, mobil haberleşme, radyo frekans amplifikatörleri ve RF alıcı devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 3GHz |
| Gain | 5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2dB @ 900MHz |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok