Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1382,T6MIBF(J
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1382
2SA1382,T6MIBF(J Hakkında
2SA1382, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörü (BJT) olup, Through Hole montaj türünde TO-226-3 (TO-92 Long Body) pakete sahiptir. 2A kollektör akımı, 50V ters zener gerilimi ve 900mW maksimum güç kaybı ile düşük seviyeli sinyal anahtarlaması ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Minimum 150 DC current gain (hFE) değeri ile hassas akım kontrolü sağlar. 110MHz transition frequency ile orta frekans uygulamalarında uygun performans gösterir. Ses amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Ürün güncel üretimden çıkarılmış olup, veri sahibi parça statüsü bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 110MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 33mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok