Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1371E-AE
DIODE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1371E
2SA1371E-AE Hakkında
2SA1371E-AE, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 Long Body paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA kolektör akımı ve 150MHz transition frequency ile çalışır. 300V VCEO breakdown voltajı ve 600mV saturation voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 10mA ve 10V koşullarında minimum 100 değerindedir. 1W maksimum güç tüketimine sahip olan bu transistör, sinyali değiştirme ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında yer bulur. Obsolete parça olduğundan yeni tasarımlarda kullanılması önerilmez, mevcut sistemlerde bakım ve onarım amaçlı temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Part Status | Obsolete |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | 3-MP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 2mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok