Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA1362-GR,LF

PNP TRANSISTOR VCEO-15V IC-0.8A

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SA1362

2SA1362-GR,LF Hakkında

2SA1362-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 800mA kollektör akımı, 15V kollektör-emitter gerilimi ve 200mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 120MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmektedir. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük baz akımı gerektiren uygulamalara uygundur. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, elektrik motor kontrol üniteleri, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı analog/dijital sinyal işleme uygulamalarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 8mA, 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok