Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1315-Y,HOF(M
TRANS PNP 2A 80V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1315
2SA1315-Y,HOF(M Hakkında
2SA1315-Y,HOF(M, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 long body paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kollektör akımı ve 80V kollektör-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 500mA akımda ve 2V Vce'de 70 değerine ulaşır. 80MHz geçiş frekansı ile ses frekansı ve düşük frekansı anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. Kollektör doyum gerilimi 500mV olup, maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devreleri için tasarlanmıştır. Not: Üretim durdurulmuş olup, yeni tasarımlarda kullanımı önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok