Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1313-Y,LF
TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1313
2SA1313-Y,LF Hakkında
2SA1313-Y,LF, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount (SMD) teknolojisine göre TO-236-3 (SOT-23-3) pakette sunulmaktadır. 50V kolektör-emiter aralığında 500mA'e kadar akım kapasitesi ile, 200MHz'e ulaşan transition frequency değeri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 100mA, 1V değerlerinde 120 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Maksimum 200mW güç dissipasyonu ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 150°C'ye kadar yükseltilmiş çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, ses frekansı uygulamaları, kontrol devresi tasarımı gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok