Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA1313-O(TE85L,F)

TRANS PNP 50V 500MA TO236-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SA1313

2SA1313-O(TE85L,F) Hakkında

2SA1313-O(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 500mA kolektör akımı ve 50V VCE(max) ile çalışabilen bu transistör, 200MHz transition frequency özelliğine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan komponent, düşük güç tüketimi (200mW max) ve kompakt boyutu sayesinde taşınabilir elektronik cihazlar, ses amplifikatörleri ve sinyal işleme devrelerinde yer bulur. 70 minimum hFE değeri ile yeterli akım kazancı sağlayan bu transistör, özellikle enerji tasarrufu gereken uygulamalarda tercih edilir. Yeni tasarımlara önerilmemekle birlikte, mevcut sistemlerin bakım ve onarımında kullanılmaya devam etmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok