Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1312GRTE85LF
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1312
2SA1312GRTE85LF Hakkında
2SA1312GRTE85LF, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 120V VCEO ile 100mA'e kadar kollektör akımını kaldırabilen transistör, 100MHz geçiş frekansına sahiptir. 200@2mA,6V DC akım kazancı ile darbe ve devre kontrol uygulamalarında, sinyal işleme devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygundur. 150mW maksimum güç disipasyonu ile ultra-kompakt tasarım gerektiren taşınabilir cihazlar, sensör arayüzleri ve consumer elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok