Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1312-BL(TE85L,F
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1312
2SA1312-BL(TE85L,F Hakkında
2SA1312-BL(TE85L,F, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 120V Vce breakdown voltajı ve 100mA kollektör akımı ile çalışabilen bu transistör, 150mW güç dissipasyonuna kadir ve 125°C işletme sıcaklığında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 2mA/6V koşullarında minimum 350 değerine sahip olup, 100MHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda da tercih edilebilir. Küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve düşük güçlü kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılan bu komponentin tipik Vce doyum voltajı 300mV'dir (1mA/10mA). Collector cutoff akımı maksimum 100nA'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 350 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok