Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1182-GR,LF
PNP TRANSISTOR VCEO-30V IC-0.5A
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1182
2SA1182-GR,LF Hakkında
2SA1182-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 30V kolektör-emitter gerilim desteği ve 500mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200MHz geçiş frekansı sayesinde orta frekanslı sinyal işleme devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. 150mW maksimum güç tüketimi ve kompakt TO-236 (SOT-23-3) yüzey montaj paketlemesi ile cep telefonları, kulaklık amplifikatörleri ve taşınabilir cihazlarda tercih edilir. 125°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok