Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1179N6-TB-E
TRANS PNP 50V 0.15A CP
2SA1179N6-TB-E Hakkında
2SA1179N6-TB-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi BJT transistördür. Maksimum 50V kolektör-emitör gerilimi ve 150mA kolektör akımı ile çalışabilen bu komponent, düşük sinyallerin yönetildiği uygulamalarda kullanılır. 180MHz transition frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama işlemlerinde ve sinyal amplifikasyonunda uygulanır. 135 minimum DC akım kazancı (hFE) ile belirli başlangıç koşullarında güvenilir performans sunar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey monte paketinde sunulan komponent, ses cihazları, enerji yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmiştir. Maksimum 200mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı özelliğine sahiptir. Üretim durumu itibariyle obsolete olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok