Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1179N6-CPA-TB-E
TRANS PNP 50V 0.15A CP
2SA1179N6-CPA-TB-E Hakkında
2SA1179N6-CPA-TB-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 150mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200mW güç derecelendirmesi ve 180MHz transition frekansıyla analog sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde yer alır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulur. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Düşük Vce doyma gerilimi (500mV @ 50mA) ve yüksek akım kazancı (hFE ≥ 200) özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok