Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1163-GR,LF
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1163
2SA1163-GR,LF Hakkında
2SA1163-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 120V maksimum Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 150mW güç kapasitesi ile düşük güçlü amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency'si ile orta frekanslı devrelerde performans gösterir. DC current gain (hFE) minimum değeri 2mA/6V şartlarında 200'dür. Gürültü filtreleme, işaret amplifikasyonu, anahtarlama ve kontrol devrelerinde sıkça tercih edilen bir transistördür. SMD montaj özelliği kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok