Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1162S-Y,LF
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1162S
2SA1162S-Y,LF Hakkında
2SA1162S-Y,LF, Toshiba tarafından üretilen yüksek frekanslı PNP bipolar junction transistördür. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 150mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80MHz transition frequency özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama ve sinyal amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü elektronik devrelerinde, ses amplifikatörleri, RF devreler ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok