Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1162S-Y, LF(D
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1162S
2SA1162S-Y, LF(D Hakkında
2SA1162S-Y, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörüdür. SO-23 (SC-59, TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Maximum 150mA kollektor akımı ve 50V kat-yayıcı aralama gerilimi ile çalışabilir. 80MHz transition frekansı ve minimum 120 DC akım kazancı (2mA, 6V koşullarında) sayesinde sinyal anahtarlaması ve küçük sinyal yükseltme uygulamalarında kullanılabilir. 150mW maksimum güç tüketimi ile portatif cihazlar, endüstriyel kontrol devreleri ve tüketici elektroniği tasarımlarında yer alabilir. Maksimum 100nA cutoff akımı ile kapalı konumda kaçak akım düşüktür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok