Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1162S-GR,LF(D
TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1162S
2SA1162S-GR,LF(D Hakkında
2SA1162S-GR,LF(D), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3, SC-59) paket tipinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum kollektör-emitter gerilimi ve 150mA maksimum kollektor akımı ile çalışır. 80MHz transition frequency ve 150mW maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir. DC akım kazancı 2mA kollektor akımında ve 6V VCE'de minimum 70'dir. Saturation voltajı 10mA taban akımında ve 100mA kollektor akımında 300mV olarak belirtilmiştir. Surface mount teknolojisi ile montajlanabilen bu transistör, düşük güçlü amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Maksimum çalışma sıcaklığı 125°C'dir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok