Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA1162-Y,LF

TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SA1162

2SA1162-Y,LF Hakkında

2SA1162-Y,LF, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount S-Mini (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 150mA maksimum collector akımı ile çalışır. 80MHz transition frequency ve 120 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile analog ve dijital devre uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150mW güç tüketimi ile düşük güçlü amplifikasyon, switching ve modülasyon devrelerinde tercih edilir. 300mV saturation voltajı ile etkili switching performansı sağlar. -55°C ile +125°C arasında çalışabilir ve stabil sıcaklık performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 80MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok