Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA1162-O,LXHF

AUTO AEC-Q PNP TR VCEO:-50V IC:-

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SA1162

2SA1162-O,LXHF Hakkında

2SA1162-O,LXHF, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). AEC-Q standartını karşılayan bu transistör, otomotiv ve endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50V VCEO ve 150mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. 80MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bileşen, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devrelerinde ve düşük seviyeli sürücü uygulamalarında çalışır. 200mW güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt tasarımlı elektronik devrelere uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 80MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok