Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1083-E-AP
TRANSISTOR TO-92 MOD
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1083
2SA1083-E-AP Hakkında
2SA1083-E-AP, Micro Commercial Components (MCC) tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 plastik paketinde sunulan bu transistör, 100mA maksimum collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir. DC current gain değeri 400 (hFE min @ 2mA, 12V) olup, 90MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 400mW maksimum güç dissipasyonu ile ses amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında çalıştırılabilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, çeşitli ortam koşullarına uyumludur. Through-hole montajı standart PCB tasarımlarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 2mA, 12V |
| Frequency - Transition | 90MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok