Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1052MDTR-E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1052
2SA1052MDTR-E Hakkında
2SA1052MDTR-E, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar transistördür. Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA collector akımı ve 30V Vce breakdown voltajı ile çalışır. 150mW güç kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) 250 değerinde (2mA, 12V koşullarında) belirtilmiştir. Vce saturation voltajı maksimum 200mV'dir (1mA base akımı, 10mA collector akımı). -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, düşük güçlü ses devreleri, kontrol sistemleri ve analog sinyal işleme devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 2mA, 12V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | 3-MPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok