Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA1020-Y,T6WNLF(J

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SA1020

2SA1020-Y,T6WNLF(J Hakkında

2SA1020-Y, Toshiba tarafından üretilen PNP tipinde bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 uzun gövde paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter gerilimi ile çalışabilir. 900mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 500mV saturasyon gerilimi ve 70 minimum DC current gain özellikleri ile düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde, özellikle ses amplifikatörleri, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Parça güncel durumda üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 900 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok