Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1020-Y(T6TR1,AF
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1020
2SA1020-Y(T6TR1,AF Hakkında
2SA1020-Y(T6TR1,AF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörüdür. 2A maksimum collector akımı ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygundur. 100MHz transition frequency ile ses frekansı ve düşük frekans RF uygulamalarında yer alabilir. TO-92 paketindeki through-hole montajı ile eski ve yeni tasarımlarda kullanılabilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışır. 70 (min) DC current gain değeri ile sinyal kontrol uygulamalarında tercih edilir. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok